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6EZ-SIC拋光機(jī)

簡要描述:Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料(如SiC)的經(jīng)驗,6EZ SiC拋光機(jī)是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計的SiC CMP工具,競爭對手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計的,這有一套非常不同的要求,6EZ與其競爭對手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:
  • 更新時間:2024-09-20
  • 訪  問  量: 2628

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詳細(xì)介紹

6EZ晶圓載具設(shè)計的優(yōu)勢:

·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料(如SiC)的經(jīng)驗

·6EZ SiC拋光機(jī)是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設(shè)計的SiC CMP工具

·競爭對手的拋光機(jī)基本上是為拋光硅集成電路而設(shè)計的,這有一套非常不同的要求

·6EZ與其競爭對手之間最重要的區(qū)別在于晶圓載具的設(shè)計


布局和功能:

綜合清潔站

·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學(xué)品

·高壓噴淋棒(10psi)


晶圓翻轉(zhuǎn)

·濕式機(jī)器人實現(xiàn)雙面拋光


濕式轉(zhuǎn)運(yùn)站

·DIW和化學(xué)沖洗

三臺200rpm拋光臺,帶拋光臺和拋光墊冷卻(5ºC)

·專用載體、護(hù)墊調(diào)節(jié)劑和護(hù)墊清潔劑

·兩種漿料的流量控制器

·每張桌上的化學(xué)清潔劑(第三種漿料可選)


漿料分配臂

調(diào)節(jié)臂和盤片


優(yōu)化晶圓載體

·基于經(jīng)驗證的ViPRR技術(shù)的設(shè)計


晶圓處理

·全自動C2C晶圓

·邊緣抓握干式機(jī)器人搬運(yùn)

·最多50片晶圓,無需操作員干預(yù)


晶圓載體對照表

項目 6EZ(板+萬向節(jié)) 競爭對手(薄膜) 影響
晶圓載體設(shè)計 板+萬向節(jié)設(shè)計(適用于SiC) 基于膜的設(shè)計(適用于硅薄膜) 6EZ從頭開始為SiC設(shè)計
拋光下壓力 更高的"拋光下壓力"(設(shè)計強(qiáng)勁,無RR力) 較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱,RR力降低拋光力) MRR
可靠性 穩(wěn)健設(shè)計,可靠性高 膜可能會意外失效(破裂) 正常運(yùn)行時間,成本(膜成本高)
扣環(huán)設(shè)計 扣環(huán)不接觸拋光墊;沒有晶圓溢出
扣環(huán)上的下壓力較大(需要保持晶圓)
下壓力 更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓) 較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半) MRR
扣環(huán)磨損 襯墊上最小的RR磨損可延長實用壽命 高RR磨損率降低使用壽命 正常運(yùn)行時間,成本
襯墊磨損 延長極板壽命 RR摩擦縮短襯墊壽命 正常運(yùn)行時間,成本
襯墊調(diào)節(jié) 所需的襯墊調(diào)節(jié)時間更短 需要更多的襯墊調(diào)節(jié)時間 正常運(yùn)行時間,成本
熱量產(chǎn)生 扣環(huán)摩擦不會產(chǎn)生熱量 必須清除擋圈摩擦產(chǎn)生的熱量 薄膜設(shè)計具有更高的襯墊過熱風(fēng)險(工藝風(fēng)險)
區(qū)域控制 晶圓上的2個區(qū)域,可調(diào)節(jié) 晶圓上的2個區(qū)域,可調(diào)節(jié)




 

 

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